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NP50P04SDG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
TEST CONDITIONS
V DS = ? 40 V, V GS = 0 V
V GS = m 20 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = ? 250 μ A
MIN.
? 1.0
TYP.
? 1.6
MAX.
? 10
m 100
? 2.5
UNIT
μ A
nA
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = ? 10 V, I D = ? 25 A
15
33
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = ? 10 V, I D = ? 25 A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 25 A
V DS = ? 10 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = ? 20 V, I D = ? 25 A,
V GS = ? 10 V,
R G = 0 Ω
7.7
9.3
5000
770
420
13
13
405
9.6
15
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
180
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = ? 32 V,
V GS = ? 10 V,
I D = ? 50 A
100
12
28
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = ? 50 A, V GS = 0 V
I F = ? 50 A, V GS = 0 V,
di/dt = ? 100 A/ μ s
0.95
48
66
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed test PW ≤ 350 μ s, Duty Cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
V GS = ? 20 → 0 V
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
R G
D.U.T.
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS ( ? )
10%
0
V GS
90%
V DS ( ? )
?
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS ( ? )
0
V DS
Wave Form
V DS
0
90%
10% 10%
90%
V DD
Starting T ch
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r t d(off)
t off
t f
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = ? 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D19072EJ2V0DS
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